Модули памяти DDR5 MRDIMM 3.0 достигнут 16 000 МТ/с

Производители памяти и чипсетов форсируют развитие стандарта MRDIMM для серверной DDR5. После запуска модулей MRDIMM 2.0 со скоростями 12 800-14 400 МТ/с отрасль готовится к выходу MRDIMM 3.0 с пропускной способностью до 16 000 МТ/с и перспективой дальнейшего роста до 17 600 МТ/с. Ключевым драйвером выступает спрос со стороны ИИ-ЦОД, облачной инфраструктуры и высокопроизводительных вычислений. AMD подтвердила статус стратегического заказчика MRDIMM 3.0 для будущих серверных платформ EPYC Florence.

Напомним, что стандарт оперативной памяти MRDIMM позволяет удвоить эффективную полосу пропускания за счет параллельной работы двух ранков через мультиплексированные буферы, сохраняя совместимость с разъемами и платами DDR5.  Модули MRDIMM второго поколения уже доступны у ряда производителей. Innodisk предлагает планки со скоростью 12 800 МТ/с и емкостью от 32 до 128 ГБ при напряжении 1,1 В и стандартной высоте печатной платы 1,23 дюйма. Micron продвинулась до 14 400 МТ/с, используя чипы емкостью 24 ГБ для сборки модулей по 96 ГБ с таймингами CL58 и рабочим температурным диапазоном от 0 до 95 °C. По сравнению с традиционной серверной RDIMM-8000 прирост пропускной способности составляет 80%.

Но MRDIMM 3.0 активно готовится к релизу, и производители уже имеют аппаратную платформу для развертывания нового типа оперативной памяти. Компания Renesas анонсировала чипсет MRDIMM третьего поколения — мультиплексированный регистровый тактовый драйвер RRG5013x и буфер данных RRG5103x, обеспечивающие скорость 16 000 МТ/с. Это на 25% выше показателей MRDIMM 2.0 при улучшенной энергоэффективности на системном уровне. Производство чипсета намечено на вторую половину 2027 года, а в настоящее время образцы проходят тестирование у избранных заказчиков.

AMD рассматривает MRDIMM как стратегический элемент масштабирования платформ. Серверные процессоры EPYC 9006 Venice и специализированные модели Verano уже поддерживают модули со скоростью 12 800 МТ/с. Ожидается, что следующее поколение Florence на архитектуре Zen 7, запланированное на 2028 год, будет работать с MRDIMM 3.0 на скорости 16 000 МТ/с и выше. Корпоративный вице-президент AMD Амит Гоэл отметил, что открытые стандарты и инновации в подсистемах памяти важны для обеспечения пропускной способности и масштабируемости ИИ и HPC-инфраструктуры.

Интересно, что разработчики MRDIMM готовы достигнуть не только 16 000 МТ/с, но в перспективе и 17 600 МТ/с, на рубеже перехода с DDR5 к DDR6. Это позволит значительно продлить жизненный цикл DDR5, что особенно ценно для гиперскейлеров с большим парком оборудования.

Разгон DDR5 MRDIMM до 16 000 МТ/с и планы на 17 600 МТ/с превращают перспективную подсистему памяти в полноенное конкурентное решение наравне с энергоэффективной и сверхбыстрой SOCAMM2, которая используется в передовых системах Nvidia Rubin, и особенно мощное преимущество получат игроки, которые успеют внедрить DDR5 MRDIMM 16 000 МТ/с до массового перехода на DDR6. В свою очередь AMD, форсируя поддержку MRDIMM 2.0 в EPYC Venice и MRDIMM 3.0 во EPYC Florence, получает рычаг для увеличения пропускной способности на сокет без смены инфраструктуры. Однако главная интрига в том, пересечется ли во времени выход 17 600 МТ/с MRDIMM с первыми образцами DDR6, и сможет ли экосистема DDR5 удержать рынок за счет цены и доступности.