Micron раскрыла дорожную карту памяти — DDR6 с удвоенной пропускной способностью, вертикальная HBM и RDIMM на 1 ТБ

Micron провела технологический вебинар для инвесторов, на котором президент и директор по технологиям и продуктам Скотт Дебур представил дорожную карту компании на несколько поколений вперед. Ключевые пункты — новый техпроцесс 1-delta, на котором будут выпускаться DDR6 с удвоенной по сравнению с DDR5 пропускной способностью и LPDDR6 с энергоэффективностью на 35% выше, чем у LPDDR5, а также вертикальная память vHBM, которая устанавливается прямо поверх вычислительного кристалла, и NAND-память G11 с более чем 400 слоями. Массовое производство 1-delta DRAM и G11 NAND Micron планирует начать во второй половине 2027 года. Компания также предупредила, что дефицит памяти сохранится как минимум еще два года.

Micron объясняет свои планы прежде всего ростом спроса со стороны ИИ. По оценке компании, агентный ИИ требует в 30 раз больше памяти, чем обычный инференс, а следующим двигателем спроса станет физический ИИ с прогнозируемым ростом более чем в 10 раз. Отвечать на этот спрос будет новый техпроцесс 1-delta, который придет на смену нынешнему 1-gamma. Он повышает плотность записи примерно на 25%, обеспечивает контроль процесса на уровне ангстремов и использует передовую CMOS-логику с high-k металлическими затворами (HKMG). Производство развернется на заводе в Бойсе во второй половине 2027 года. На 1-delta будут выпускаться HBM5, вертикальные vHBM и vEIM, а также DDR6 и LPDDR6. Дальше Micron рассчитывает продолжить масштабирование классической ячейки 6F² с помощью High-NA EUV и новых материалов на узлах 1-zeta и 1-eta, а затем перейти к 3D DRAM. Альтернативную компоновку 4F², которую продвигают некоторые конкуренты, компания, по данным TrendForce, отвергла.

DDR6 предназначена для серверов следующего поколения и должна более чем вдвое превзойти DDR5 по пропускной способности. LPDDR6 Micron называет ключевым типом памяти как для мобильных устройств, так и для дата-центров: ее энергопотребление на 35% ниже, чем у LPDDR5, а в некоторых конфигурациях еще меньше. Компания уже работает с Meta над внедрением LPDDR6 в будущие дата-центры. Для серверов Micron готовит и рекордные по объему модули: после недавно анонсированных RDIMM на 512 ГБ следующее поколение получит модули на 1 ТБ.

В области HBM Micron уже серийно выпускает 12-слойную HBM4 объемом 36 ГБ с пропускной способностью 2,8 ТБ/с на стек, а следующая HBM4E проходит стадию образцов. Дальше по плану идут HBM5, HBM5E и HBM6 в 2028–2030 годах. Помимо стандартной HBM, компания будет выпускать специализированную память с собственной логикой в базовом кристалле и вертикальную vHBM. В последней память размещается непосредственно на вычислительном кристалле, что дает кратчайший путь к вычислителям и больше токенов на ватт. Первые vHBM ожидаются примерно в 2028 году, хотя главной сложностью остается отвод тепла. Параллельно разрабатывается модуль vEIM, ориентированный на энергоэффективность: первое поколение должно обеспечить около 2 ТБ/с на модуль при энергопотреблении менее 1 пДж на бит. Для всего этого понадобятся новые технологии корпусирования: гибридное соединение и 16-слойные стеки, теплоотвод над PHY и уплотнение TSV.

В NAND Micron пропускает десятое поколение и переходит сразу от G9 к G11. Новая память получит более 400 слоев и впервые для компании будет изготавливаться с соединением пластина к пластине. По сравнению с G9 плотность записи вырастет примерно вдвое, скорость ввода-вывода — в 1,5 раза, а энергия на передачу данных снизится более чем на 25%. Подробности о G11 Micron обещает раскрыть в следующем году. Кроме того, компания развивает два типа NAND для ИИ: SLC-память с высокой скоростью IOPS для мелкоблочного доступа и высокоскоростную память в стеке на TSV для работы с весами моделей, длинным контекстом и KV-кэшем. Вместе с WEKA Micron показала стойку емкостью более 1,1 ЭБ.

Micron показывает, что память окончательно стала одним из главных узких мест ИИ-инфраструктуры, и производители выстраивают под это всю свою технологическую стратегию. Для рынка серверов самое важное — сроки: 1-delta DRAM и G11 NAND выйдут в массовое производство только во второй половине 2027 года, DDR6 и vHBM появятся еще позже, а дефицит памяти, по словам самой Micron, продлится как минимум два года. Значит, в ближайшее время цены на DRAM и NAND будут оставаться высокими, а серверные платформы — опираться на DDR5, LPDDR5X и HBM4. При этом направление развития уже понятно: LPDDR6 в модулях SOCAMM станет полноценной серверной памятью, HBM будет все теснее интегрироваться с вычислительными кристаллами, а специализированная NAND займет промежуточный уровень между видеопамятью и обычными SSD. Многие из этих планов пока остаются целями на бумаге, и их реальная ценность станет ясна, когда новые продукты появятся в серийных системах.