Техпроцесс 65-нм освоили в России: НИИМЭ и НИИТМ создали оборудование для печати чипов

Российские научно-исследовательские институты НИИМЭ и НИИТМ, входящие в ПАО “Элемент”, впервые разработали кластерные системы для плазмохимического осаждения и травления, необходимые для производства интегральных микросхем по нормам техпроцесса 65 нм. Оборудование рассчитано на кремниевые пластины диаметром 200 и 300 мм и позволяет создавать чипы для различных периферийных систем, устройств оборонно-промышленного комплекса и различных типов микроконтроллеров. Запуск серийного производства чипов начнется не раньше 2028 года

По словам “Элемент”, НИИМЭ и НИИТМ вошли в число 5 компаний, обладающих компетенциями и технологиями для создания оборудования подобного типа. НИИМЭ занимался подготовкой специализированных помещений, монтажом оборудования и непосредственной разработкой техпроцессов. НИИТМ отвечал за проектирование самого оборудования для плазмохимического осаждения и травления и участвовал в его испытаниях. Заместитель министра промышленности и торговли РФ Василий Шпак подчеркнул значимость разработанных установок для 65-нм техпроцесса на 300-мм пластинах для перспектив отечественной микроэлектроники. Он отметил, что модульная архитектура инфраструктуры для печати процессоров позволяет РФ самостоятельно заниматься производством чипов на производственных линиях, находящихся на территории страны, удовлетворяя спрос местных госкомпаний и частных организаций. Кроме того, передовая разработка также станет надежной основой для перехода на более современные нормы производства чипов. Важно подчеркнуть, что компания ASML, создающая лучшие в мире EUV-сканеры, освоила 65-нм техпроцесс в 2003-году, а массовое производство чипов по этим нормам началось в 2006 году с выходом Intel Pentium 4, Core, Core 2 и Core 2 Duo. В настоящее время этот техпроцесс до сих пор используется для создания микроконтроллеров, сенсоров, датчиков и других базовых устройств.

Представители “Элемент” также подчеркнули, что передовое отечественное оборудование будет полностью совместимо с инфраструктурой существующих и будущими производственными линиями, выпускающими 200-мм кремниевые пластины, что позволит легко интегрировать системы плазмохимического осаждения и травления без полной перестройки фабрик. Создание столь сложных технологических сооружений российскими учеными и инженерами — это важнейший этап, который приближает достижение большей технологической независимости отечественной индустрии создания микроэлектронных решений. Следующий шаг — улучшение оборудования и переход к новым, более совершенным техпроцессам, однако важно понимать, что разработка и последующая интеграция подобных устройств займет время и потребует значительного финансирования со стороны государства.