Micron представила SSD 6600 ION, 7600 и 9650 с форм-факторами U.2, E1.S и E3.S для дата-центров

Компания Micron Technology анонсировала твердотельные накопители серий 6600 ION, 7600 и 9650, предназначенные для дата-центров и корпоративных систем. Новинки подходят для выполнения ресурсоемких задач, включая работу с искусственным интеллектом, и выпускаются в форм-факторах U.2, E1.S и E3.S.

Накопители Micron 6600 ION оптимизированы для сред с постоянной генерацией и обработкой больших объемов данных, вроде инфраструктур IoT. Устройства созданы на базе чипов флеш-памяти G9 QLC NAND и используют интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Доступны в форм-факторах E3.S 1T (7,5 мм) и U.2 (15 мм). В линейке представлены модели емкостью 30,72 ТБ, 61,44 ТБ и 122,88 ТБ, а в первой половине 2026 года ожидается выход версии на 245 ТБ. Скорость последовательного чтения данных достигает 14 000 МБ/с, последовательной записи — 3000 МБ/с. Производительность при случайном чтении блоков по 4 КБ составляет до 2 миллионов IOPS, при записи – до 100 тыс. IOPS. Показатель DWPD — 1 полная перезапись в сути при последовательном доступе и от 0,075 до 0,3 при случайном доступе.

Накопители серии Micron 7600 ориентированы на задачи искусственного интеллекта и выпускаются в форм-факторах U.2 (15 мм), E1.S (9,5 мм и 15 мм) и E3.S 1T (15 мм). В основе лежит память G9 TLC NAND и интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Скорость последовательного чтения — до 12 000 МБ/с, записи — до 7000 МБ/с. Покупателям доступны две модификации: Micron 7600 Pro и Micron 7600 Max. Модели Pro предлагают емкость от 1,92 до 15,36 ТБ с надежностью 1 DWPD на протяжении пяти лет и производительностью до 2,1 миллионов IOPS (рандомное чтение) и до 400 тысяч IOPS (рандомная запись). Модели Max имеют емкость от 1,6 до 12,8 ТБ с надежностью 3 DWPD и производительностью до 2,1 миллионов IOPS (чтение) и до 675 тысяч IOPS (запись). Задержка составляет менее 1 мс для 99,9999% операций.

Накопители Micron 9650 разработаны специально для обучения ИИ-моделей, инференса в реальном времени и других задач, требующих максимальной производительности и пропускной способности. Устройства в форм-факторах E3.S (7,5 мм) и E1.S (9,5 мм) оснащены интерфейсом PCIe 6.0 х4 (NVMe 2.0) и используют флеш-память типа G9 TLC NAND. Скорость последовательного чтения достигает 28 000 МБ/с, записи — 14 000 МБ/с. Версии E1.S (15 мм) поддерживают жидкостное охлаждение. Серия включает модификации Pro и Max: модели Pro емкостью 7,68–30,72 ТБ с надежностью 1 DWPD и производительностью до 5,5 миллионов IOPS (чтение) и 1,1 миллионов IOPS (запись); модели Max емкостью 6,4–25,6 ТБ с надежностью 3 DWPD и производительностью до 5,5 миллионов IOPS (чтение) и 1,5 миллионов IOPS (запись).

Максимальное энергопотребление всех представленных накопителей не превышает 25 Вт. Средняя наработка на отказ (MTTF) составляет 2,5 миллионов часов при температуре до +50 °C. Пробные поставки накопителей Micron 7600 и Micron 9650 уже начались, а серия Micron 6600 ION поступит в продажу позднее в текущем квартале 2025 года.