332-слойные NAND на 122 ТБ — Kioxia раскрыла информацию о будущих поколениях флеш-памяти
Введение
Японская компания Kioxia поделилась своим корпоративным Roadmap на развитие следующих поколений флеш-памяти. Kioxia заявляет, что в будущем появятся передовые чипы NAND с 332 слоями, а емкость решений составит колоссальные 122 ТБ.
Подробнее о событии
332-слойные чипы NAND, разработкой которых Kioxia занимается в данный момент, будут относиться к десятому поколению BiCS FLASH и обеспечат емкость в 2 ТБ на отдельный кристалл. Хотя эта цифра на первый взгляд может показаться весьма небольшой, Kioxia указывает на потенциал проекта Gen X, который позволит выпускать накопители значительно большей емкости, чем текущие модели, причем без применения технологии Penta-Level Cell (PLC). Эти решения позиционируются как ключевой элемент текущей стратегии компании, которая предполагает параллельное количества слоев NAND для увеличения плотности хранения данных и улучшение производительности за счет внедрения новой архитектуры Charge-Based Architecture (CBA).
Суть архитектуры CBA заключается в обеспечении прямого подключения CMOS-схем к массиву ячеек памяти. Такой подход, по заявлениям Kioxia, ведет к повышению скорости передачи данных, сокращению задержек и снижению энергопотребления. Компания подчеркивает, что данная технология дает возможность увеличить плотность записи, избегая при этом компромисса в виде снижения долговечности и надежности накопителей, который обычно сопровождает увеличение количества битов, хранимых в одной ячейке памяти.
Согласно планам Kioxia, в данный момент компания не будет осваивать технологию PLC, несмотря на то, что конкуренты уже начинают ее внедрять в свои решения. Вместо этого Kioxia концентрирует усилия на совершенствовании технологических процессов и разработке новых контроллеров, чтобы соответствовать рыночным запросам. Текущий фокус Kioxia направлен на два семейства твердотельных накопителей: CM9, оптимизированные для высокопроизводительных задач, включая приложения искусственного интеллекта, и LC9, ориентированные на максимальную емкость и предлагающее решения объемом 122 ТБ сохраняемой информации. Оба семейства базируются на восьмом поколении BiCS FLASH с поддержкой CBA, что обеспечивает максимальную энергоэффективность даже при высоких нагрузках.
Kioxia также рассказала, что в данный момент ведется работа над созданием высокопроизводительного SSD, использующего технологию XL-Flash SLC. Ожидается, что этот накопитель сможет обеспечить производительность свыше 10 миллионов IOPS, а его выход на рынок запланирован на вторую половину 2026 года.
Выводы
Заявления Kioxia могут стать толчком для формирования новых тенденций в области выпуска NAND-накопителей, вынудив прямых конкурентов компании в лице Samsung, Miron, Solidigm и SK Hynix ускорить разработку собственных многослойных решений с конкурентоспособной емкостью. К тому же, решение отказаться от технологии PLC и перейти на CBA, может стать ключевым этапом для компании Kioxia. Если это действительно позволит наделить NAND-память высокой скоростью, низкими задержками и большой емкостью при сохранении надежности, традиционные архитектуры флеш-накопителей могут устареть в кратчайшие сроки, сделав Kioxia новым лидером рынка сектора производства NAND.
