Samsung, Micron и SK Hynix анонсировали сверхбыструю память HBM4 и HBM4e

Содержание: Введение Особенности HBM4 и HBM4e Выводы Введение На конференции GTC 2025 компании Samsung, Micron и SK Hynix показали новейшее поколение памяти формата HBM4 и HBM4e. Эти решения будут применяться в ИИ-ускорителях Nvidia Rubin и Rubin Ultra, выход которых запланирован на 2026-2027 годы, а также в суперкомпьютерах и профессиональных графических картах. Особенности HBM4 и HBM4e Как заявляют разработчики, память HBM4 будет обеспечивать вдвое большую пропускную способность (до 2,4 ТБ/с), чем память предыдущего поколения HBM3e, что обуславливается двукратным увеличением количества пинов. Плотность транзисторов также значительно увеличится. Кроме того, Samsung, Micron и SK Hynix поделились информацией, что новые форматы памяти HBM4 и HBM4e станут в разы более энергоэффективнее, а также будут поддерживать современные интерфейсы, в частности CXL 3.0. Стенд компании SK Hynix с описанием технологии HBM4. Источник: Computerbase. Максимальный объем памяти HBM4 достигнет 36 ГБ, а для производства будет использоваться техпроцесс 3-нм TSMC. Выпуск памяти HBM4 запланирован на вторую половину 2025 года, но масштабные поставки начнутся лишь в 2026 году. Помимо этого, корейская компания SK Hynix также объявила о выпуске 12-слойной памяти HBM3e и новейшего стандарта SOCAMM. В свою очередь, на презентации Samsung также была показана память HBM4e, которая предложит от 48 до 64 ГБ на модуль и пропускную способность в 10 Гбит/с. Форматы памяти HBM4 и HBM4e будут реализоваться в 8, 12 и 16 слойном исполнении.  Roadmap выпуска новых форматов HBM компании Samsung. Источник: Источник: Computerbase. Интересно, что компании Samsung, Micron и SK Hynix выбрали разный подход к разработке нового формата памяти. Например, Samsung акцентирует внимание на создании 16-слойных чипов для ИИ, SK Hynix ведет активное сотрудничество с Nvidia и AMD для интеграции своих решений в их GPU, а Micron экспериментирует с фазовой памятью для ускорения вычислений. Чипы HBM4 компании SK Hynix. Источник: Computerbase. Выводы Анонс новых форматов сверхбыстрой памяти был лишь вопросом времени, так как Nvidia на своем roadmap уже продемонстрировала, что новейшее поколение ИИ-ускорителей Rubin будет использовать формат HBM4. Однако, в данный момент неизвестно, какой формат будет использоваться в GPU Nvidia Feynman, выход которых запланирован на 2028 год. Вполне возможно, что к тому моменту ведущие производители модулей памяти, такие как Samsung, Micron и SK Hynix, представят еще более производительные форматы HBM, которые будут удовлетворять все потребности ИИ-индустрии в будущем.