NEO Semiconductor анонсирует сверхплотную и энергонезависимую 3D DRAM

Введение Американский стартап NEO Semiconductor готовится представить миру три инновационные технологии, которые совершат прорыв в области создания новых типов оперативной памяти. Их разработка — трехмерная оперативная память с рекордной плотностью, энергоэффективностью и элементами энергонезависимости. Разработка была анонсирована еще в 2023 году, но только сейчас передовая технология обрела конкретные очертания. Несмотря на скепсис гигантов вроде Samsung и SK Hynix, компания NEO Semiconductor уверена, что 3D-компоновка DRAM — это будущее оперативной памяти. Подробнее о 3D DRAM Как заявляют NEO Semiconductor, их разработка вдохновлена успехом флеш-памяти 3D NAND. По сути, инженеры стартапа перенесли принцип вертикального расположения ячеек памяти, что позволило достичь плотности до 512 Гбит на чип — в 10 раз выше, чем у современных аналогов. Такой подход не только увеличивает объем памяти, но и снижает энергопотребление за счет оптимизации структуры. В условиях современности, когда потребление энергии вычислительными инфраструктурами растет по экспоненте, энергоэффективность DRAM может сыграть огромную роль уже в ближайшем будущем. Основной новейшей технологии стал особый материал IGZO (оксид индия-галлия-цинка), который ранее использовался в дисплеях Sharp для создания энергоэффективных транзисторов. Его применение в DRAM может обеспечить высокую скорость перемещения электронов без роста рабочих токов, что уменьшает задержки до 10 нс и также способствует сокращению энергопотребления. На выставке IEEE в мае 2025 года в Калифорнии NEO планирует продемонстрировать три типа ячеек: 1T1C — стандартная структура DRAM с транзистором и конденсатором; 3T0C — DRAM с тремя транзисторами без конденсатора; 1T0C — минималистичный дизайн DRAM с одним транзистором. Особый интерес вызывают гибридные ячейки, сохраняющие данные до 450 секунд без питания, что снижает необходимость в постоянной регенерации сигнала. Это свойство также может свести на нет потребность в таких технологиях, как энергонезависимые модули NVDIMM.  Несмотря на то, что рабочие прототипы NEO Semiconductor планирует выпустить лишь в 2026 году, технология 3D DRAM имеет огромные перспективы. Пока крупные игроки сосредоточены на эволюции существующих форматов оперативной памяти, NEO предлагает другой вектор развития, который может оказаться значительно более эффективным. Однако успех зависит от того, заинтересуются ли их идеей лидеры рынка. Например, переход AMD и Nvidia на подобные чипы мог бы ускорить внедрение в дата-центры и системы ИИ, где объем памяти критичен, но этому могут препятствовать крепкие партнерские отношения компаний с производителями традиционных типов DRAM. Выводы NEO Semiconductor предлагая совершенно новый тип памяти, который будет сочетать емкость, скорость и энергоэффективность в одном чипе. Если их амбиции реализуются, это не только изменит современные IT-инфраструктуры, но и задаст новые стандарты для всего рынка микропроцессорных решений. Однако, смогут ли передовые IT-гиганты перестроиться к применению новейших решений, покажет лишь время.